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烧结法: ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,纯钯靶材价格,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,淮北纯钯靶材,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
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制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。
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