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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，纯银零部件，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
用于复印机和打印机等的带电辊、显影辊、---供给辊、转印辊等都必须具备适当的稳定的电阻值。
以往，使上述辊筒具有导电性的方法包括采用在橡胶中混入了金属氧化物粉末和碳黑等导电性填充剂的电子导电性橡胶的方法；采用聚氨酯橡胶、表氯橡胶等离子导电性橡胶(聚合物)或含有季铵盐等离子导电材料的离子导电性聚合物的组合物的方法。
烧结法： ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，纯银零部件厂家，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，纯银零部件生产加工，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ito靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，需求量都很大。
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