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各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。







超纯金属的制备有化学提纯法如精馏(---是金属氯化物的精馏及氢还原)、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等(见硅、锗、铝、铟)。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。

由于容器与药剂中杂质的污染,纯银零部件工艺,使得到的金属纯度受到一定的---,只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后,再用物理方法如区熔提纯,才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理(见区域熔炼)。
在储存技术方面,淮南纯银零部件,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,cof~cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的tbfeco合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,纯银零部件,---,可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘,具有tbfeco/ta和tbfeco/al的层复合膜结构,tbfeco/ai结构的kerr旋转角达到58,而tbfecoffa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。

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