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但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂，bi2o3在820cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。

1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，再加入自配退钯溶液，金圆柱靶，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害，再用自配化学试剂，钯和溶液分离

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