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精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,淮北纯银零部件,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。






但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂,bi2o3在820cr熔化,纯银零部件,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。

1:金属镀钯,镀钯铜提钯技术:首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中,再加入自配退钯溶液,数秒中后表面钯退净,取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,再用自配化学试剂,钯和溶液分离
2:合金含钯,铜钯合金提钯技术:把铜钯合金放入容器中,加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体,纯银零部件谁家好,再用自配化学试剂把钯和溶液分离。
3:废钯碳催化剂提钯,首先用物理原理把碳等有机物去除,剩下金属钯,再用化学试剂溶解金属钯,再进行下一步钯分离。

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