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但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂,bi2o3在820cr熔化,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。







各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,金铜靶材,溅射靶材及溅射技术的同步发展,金铜靶材价格,---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,金铜靶材厂,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。

平面显示器(fpd)这些年来大幅冲击以阴极射线管(crt)为主的电脑显示器及电视机市场,亦将带动ito靶材的技术与市场需求。如今的ito靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ito薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ito靶材,利用l}irf反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,有金铜靶材,电导率高,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。

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