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热压法:ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小,烧结温度较低,烧结时间较短。但热压法生产的ito靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ito薄膜的均匀性,且不能生产大尺寸的靶。







烧结法: ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,芜湖金银泥处理车间设备,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,金银泥处理车间设备厂家,产品密度高、缺氧率低,金银泥处理车间设备厂,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ito靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,需求量都很大。

精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,金银泥处理车间设备加工,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。
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