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溅射靶材ito靶材的生产工艺 ito靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(hip)、溅射靶材热压法(hp)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ito靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,---复合材料报价,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。







烧结法: ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ito靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,需求量都很大。

背靶材料:
无氧铜(ofc)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜,因为无氧铜具有---的导电性和导热性,辽阳---复合材料,而且比较容易机械加工。 如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下,---复合材料厂家,如需要进行高温帖合的条件下,---复合材料谁家好,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金属钼作为背靶材料。

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