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区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,黑龙江纯金靶材,其分辨率已接近于理论数值。
平面显示器(fpd)这些年来大幅冲击以阴极射线管(crt)为主的电脑显示器及电视机市场,亦将带动ito靶材的技术与市场需求。如今的ito靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,纯金靶材报价,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ito薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ito靶材,利用l}irf反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,电导率高,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。

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