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超纯金属的检测方法---困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，金管，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起---影响，称为物理杂质，金管加工，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
热压法：ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，金管厂，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ito靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ito薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，沈阳金管，薄膜的纯度与靶材的纯度关系---，过99.995%（4n5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
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