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烧结法： ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，阜新纯银靶材，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，纯银靶材生产加工，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ito靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，需求量都很大。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，纯银靶材，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，纯银靶材谁家好，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。
溅射靶材ito靶材的生产工艺 ito靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(hip)、溅射靶材热压法(hp)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：
热等静压法：ito靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。
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