沈阳东创-金粒报价-江西金粒

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，金粒厂家，铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

金属靶材材质分为：

镍靶、ni、钛靶、ti、锌靶、zn、铬靶、cr、镁靶、mg、铌靶、nb、锡靶、sn、铝靶、al、铟靶、in、铁靶、fe、锆铝靶、zral、钛铝靶、tial、锆靶、zr、铝硅靶、alsi、硅靶、si、铜靶cu、钽靶t、a、锗靶、ge、银靶、ag、钴靶、co、金靶、au、钆靶、gd、---靶、la、钇靶、y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、nicr、铪靶、hf、钼靶、mo、铁镍靶、feni、钨靶、w等。