盘锦纯银零部件-纯银零部件工艺-东创---(商家)

区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆  厘米时，盘锦纯银零部件，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。

此外，使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊，纯银零部件工艺，其电阻值与施加的电压有关，存在电阻值不固定的问题。---是采用碳黑作为导电性填充剂时，这些倾向更明显。

由于使用了电子导电性橡胶的导电辊，不论是采用间歇式制法还是连续---处理法，都存在电阻值不均匀的问题，所以在数字化、彩色化等提高图像的技术日新月异的今天，希望用离子导电性橡胶替代电子导电性橡胶。