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烧结法: ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,玫瑰金靶材,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,朝阳玫瑰金靶材,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
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区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,玫瑰金靶材生产加工,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
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